Описание
Транзисторы – IGBT
корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190
92.8₴
Транзисторы – IGBT
корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190
В наличии лишь 1
Транзисторы – IGBT
корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190