Опис

Наименование: BT60T60ANFK
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W
|Vce|ⓘ – Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ – Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ – Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
|VCEsat|ⓘ – Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ – Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ – Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ – Время нарастания типовое: 124 nS
Coesⓘ – Выходная емкость, типовая: 224 pF
Qg ⓘ – Общий заряд затвора, typ: 117 nC
Тип корпуса: TO3P